CMOS संवेदक
CMOS (पूरक धातु-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर), चीनी नाम पूरक धातु आक्साइड अर्धचालक है, जो कंप्यूटर सिस्टम में एक महत्वपूर्ण चिप है, जो सिस्टम मार्गदर्शन की सबसे मूल जानकारी को संरक्षित करता है। सीएमओएस और सामान्य कम्प्यूटर चिप की विनिर्माण तकनीक में मुख्य रूप से सेमीकंडक्टर सिलिकॉन और जर्मेनियम का उपयोग किया जाता है, मुख्यतः इन दो तत्वों को सीएमओएस (बिजली के साथ) और पी (+ पावर लेवल) सेमीकंडक्टर में एन के साथ मिलकर बना है, वर्तमान में ये दो पूरक प्रभाव को चिप रिकॉर्ड और छवि की व्याख्या संसाधित कर रहे हैं बाद में, यह पाया गया कि सीएमओएस का उपयोग डिजिटल फोटोग्राफी में छवि संवेदक के रूप में भी किया जा सकता है। CMOS संवेदक को निष्क्रिय पिक्सेल सेंसर (निष्क्रिय पिक्सेल सेंसर CMOS) और सक्रिय पिक्सेल सेंसर (सक्रिय पिक्सेल सेंसर CMOS) में विभाजित किया जा सकता है।
एडवांटेज संपादक
नवीनतम CMOS संवेदकों के व्यापक आवेदन के लिए किसी एक चीज की उच्च संवेदनशीलता, कम जोखिम समय और सिकुड़ती पिक्सेल आकार है। पिक्सेल संवेदनशीलता का एक उपाय भरण कारक का उत्पाद है (दृश्यमान क्षेत्र का संपूर्ण पिक्सेल क्षेत्र का अनुपात) और क्वांटम दक्षता (स्क्रीन पर बमबारी फोटॉनों द्वारा उत्पन्न इलेक्ट्रॉनों की संख्या)। सीसीडी सेंसर में उनकी तकनीक की अंतर्निहित विशेषताओं की वजह से एक बड़ा भरना कारक है। CMOS छवि संवेदक में, तुलनीय सीसीडी कनवर्टर शोर सूचकांक और संवेदनशीलता स्तर प्राप्त करने के लिए, CMOS छवि संवेदक विधानसभा (एपीएस) के लिए सक्रिय पिक्सेल संवेदक पर लोग, और भरने वाले कारक को कम करने के कारण, पिक्सेल की सतह काफी महत्वपूर्ण है क्षेत्र के एम्पलीफायर ट्रांजिस्टर द्वारा कब्जा कर लिया गया था, छोटे फोटोईलेक्ट्रिक डायोड के लिए उपलब्ध स्थान। इसलिए, आज के CMOS सेंसरों का एक महत्वपूर्ण विकास लक्ष्य भरना कारक का विस्तार करना है। सेप लार्स (फ़िलफेक्टर), इसकी पेटेंट लाइसेंसिंग तकनीक के माध्यम से, भरण कारक में काफी सुधार कर सकता है। यह तकनीक एक हल्के-संवेदनशील क्षेत्र में एक मानक CMOS सिलिकॉन चिप का सबसे बड़ा हिस्सा बदल सकता है। पिक्सेल का आकार छोटा है, भरण कारक को सुधारना अधिक कठिन होता है, सबसे लोकप्रिय तकनीक पारंपरिक फोटोग्राफिक (एफएसआई फ्रंट, साइड इल्यूमिनेशन) से है (पीएसआई, बैक साइड प्रकार सहज रोशनी), एम्पलीफायर ट्रांजिस्टर और इंटरकनेक्ट सर्किट पीठ के सामने रखा, सभी फोटोडिडा छोड़कर, इस तरह 100% का भरण कारक (जैसा कि सही चित्र में दिखाया गया है)।
इसके अलावा, एक ठेठ औद्योगिक छवि संवेदक के लिए, क्योंकि कई दृश्य गरीब प्रकाश की स्थिति में हैं, यह एक बड़ी गतिशील रेंज के लिए बहुत उपयोगी होगा। बहु उतार चढ़ाव रूपांतरण वक्र के माध्यम से इस लक्ष्य को प्राप्त करने के लिए सीएमओएस छवि संवेदक ऑपरेशन विभिन्न झुकाव के रैखिक भाग से बना है, जो एक नॉनलाइनर विशेषता वक्र के रूप में बना है। इसलिए, एक दृश्य का अंधेरा भाग एकीकृत एनालॉग-टू-डिजिटल कनवर्टर की कनवर्ज़न रेंज का एक बड़ा हिस्सा हो सकता है: रूपांतरण विशेषता वक्र यहां सबसे अधिक है, ताकि उच्च संवेदनशीलता और इसके विपरीत प्राप्त हो सके। सुविधा वक्र के ऊपरी हिस्से की उदासीनता, छवि के उज्ज्वल भाग में ओवरेक्स्पोज़र के कई ऑर्डर को कैप्चर करेगा और उन्हें अधिक विस्तृत पैमाने पर दिखाएगी। एलयूपीए -4000 संचालित करने के लिए कई ढलानों का उपयोग 10 बिट ए / डी रूपांतरण रेंज के साथ 90 डीबी तक की ऑप्टिकल गतिशील रेंज से मेल खाएगा।
वीजीए संकल्प के साथ IM-001 श्रृंखला CMOS छवि सेंसर इस आधार पर आगे विकसित किया गया है; वे ऑटोमोटिव अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किए गए हैं इसके पिक्सल फोटोडिओड्स से बना होते हैं और 120dB तक अनुकूली गतिशील रेंज प्रदान कर सकते हैं। एसीएम 100 कैमरा सेंसर के उपयोग पर ऑटोमोटिव अनुप्रयोगों के लिए मॉड्यूल है, कैमरा मॉड्यूल को कैमरे के समाधान के रूप में समान उत्पादों की बिक्री करने के लिए पहले पूरा करने के लिए कहा जाता है: विजुअल समाधान को ड्राइवर संरक्षण, विरोधी- टक्कर, रात दृष्टि समर्थन और टायर ट्रैकिंग उन्मुख भविष्य की मोटर वाहन सुरक्षा प्रणाली
इसके अलावा, विद्युत ग्रिड से स्वतंत्र पोर्टेबल अनुप्रयोगों के लिए, सीएमओएस प्रौद्योगिकी, इसकी कम बिजली खपत के लिए जाना जाता है, के स्पष्ट लाभ हैं: CMOS छवि संवेदक 5V और 3.3V आपूर्ति वोल्टेज के लिए डिज़ाइन किया गया है। सीसीडी चिप के लिए बिजली की आपूर्ति के बारे में 12V की आवश्यकता होती है, इसलिए एक वोल्टेज कनवर्टर का इस्तेमाल करना होता है, जिससे बिजली की खपत में वृद्धि होती है। कुल बिजली खपत के संदर्भ में, CMOS सेंसर में नियंत्रण और सिस्टम फ़ंक्शन को एकीकरण करना एक और लाभ लाएगा: यह अन्य अर्धचालक घटकों के साथ सभी बाहरी कनेक्शन को निकाल देगा। इसकी उच्च शक्ति ड्राइव आजकल को त्याग कर दिया गया है, क्योंकि चिप के अंदर से भरी ऊर्जा पीसीबी या सब्सट्रेट के बाहरी कार्यान्वयन से बहुत कम है।
